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5417231Immagine PMDPB42UN,115.NXP Semiconductors / Freescale

PMDPB42UN,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMDPB42UN,115
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DFN2020-6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.9A, 4.5V
  • Potenza - Max
    510mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-UDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    568-10758-2
    934066485115
    PMDPB42UN,115-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    185pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.9A 510mW Surface Mount DFN2020-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.9A

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Spedizione
Pagamento
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