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PMGD8000LN,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMGD8000LN,115
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 100µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-TSSOP
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    8 Ohm @ 10mA, 4V
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    568-2370-2
    934057621115
    PMGD8000LN T/R
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    18.5pF @ 5V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.35nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 125mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    125mA

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Spedizione
Pagamento
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