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5871846Immagine PMN23UN,135.NXP Semiconductors / Freescale

PMN23UN,135

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMN23UN,135
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    700mV @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    28 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.75W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-74, SOT-457
  • Altri nomi
    568-7416-2
    934058058135
    PMN23UN /T3
    PMN23UN /T3-ND
    PMN23UN,135-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10.6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 6.3A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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Spedizione
Pagamento
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