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2347841Immagine PMPB12UN,115.NXP Semiconductors / Freescale

PMPB12UN,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMPB12UN,115
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-DFN2020MD (2x2)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    18 mOhm @ 7.9A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-UDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    568-10451-2
    934066861115
    PMPB12UN,115-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    886pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 7.9A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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Spedizione
Pagamento
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