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PSMN5R8-30LL,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PSMN5R8-30LL,115
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V QFN3333
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.15V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-DFN3333 (3.3x3.3)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5.8 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    55W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-VDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    568-5593-1
    PSMN5R830LL115
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1316pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 40A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount 8-DFN3333 (3.3x3.3)
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