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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > 2N7002BKV,115
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525585Immagine 2N7002BKV,115.Nexperia

2N7002BKV,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N7002BKV,115
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2N7002BKV,115.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-666
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Potenza - Max
    350mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-563, SOT-666
  • Altri nomi
    1727-4787-1
    568-5979-1
    568-5979-1-ND
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    13 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 340mA 350mW Surface Mount SOT-666
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    340mA

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09/10/2024
Spedizione
Pagamento
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