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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2N7002P,215
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3252733Immagine 2N7002P,215.Nexperia

2N7002P,215

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N7002P,215
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.2N7002P,215.pdf
    2.2N7002P,215.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-236AB (SOT23)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    350mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    1727-4692-1
    568-5818-1
    568-5818-1-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.8nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 360mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    360mA (Ta)

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09/10/2024
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Pagamento
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