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2771769Immagine BSH108,215.Nexperia

BSH108,215

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSH108,215
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSH108,215.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-236AB (SOT23)
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    120 mOhm @ 1A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    830mW (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    1727-4925-2
    568-6216-2
    568-6216-2-ND
    934055571215
    BSH108 T/R
    BSH108 T/R-ND
    BSH108,215-ND
    BSH108215
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    190pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 1.9A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.9A (Tc)

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09/10/2024
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