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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BUK7M8R0-40EX
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1838234Immagine BUK7M8R0-40EX.Nexperia USA Inc.

BUK7M8R0-40EX

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BUK7M8R0-40EX
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V MLFPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BUK7M8R0-40EX.pdf
  • Tensione - Prova
    1567pF @ 25V
  • Tensione - Ripartizione
    LFPAK33
  • Vgs (th) (max) a Id
    8 mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Stato RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    69A (Tc)
  • Polarizzazione
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Altri nomi
    1727-2565-2
    568-13009-2
    568-13009-2-ND
    934070081115
    BUK7M8R0-40E,115
    BUK7M8R0-40EX-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    BUK7M8R0-40EX
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    23.8nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 1mA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 40V 69A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount LFPAK33
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V MLFPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    40V
  • rapporto di capacità
    75W (Tc)

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09/10/2024
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