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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BUK7Y20-30B,115
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5696605Immagine BUK7Y20-30B,115.Nexperia

BUK7Y20-30B,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BUK7Y20-30B,115
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 39.5A LFPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BUK7Y20-30B,115.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LFPAK56, Power-SO8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    20 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    59W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
  • Altri nomi
    1727-4607-2
    568-5517-2
    568-5517-2-ND
    934063317115
    BUK7Y2030B115
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    688pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 39.5A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    39.5A (Tc)

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09/10/2024
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