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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BUK9C10-55BIT/A,11
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Italia
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BUK9C10-55BIT/A,11

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BUK9C10-55BIT/A,11
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    55V N CH TRENCHFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BUK9C10-55BIT/A,11.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK-7
  • Serie
    TrenchPLUS
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    9 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    194W (Ta)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Altri nomi
    934061327118
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4667pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    55V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 55V 75A (Ta) 194W (Ta) Surface Mount D2PAK-7
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    75A (Ta)

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09/10/2024
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Pagamento
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In magazzino
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Descrizione: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

Produttori: Nexperia
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