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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > PDTA143XQAZ
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2696705Immagine PDTA143XQAZ.Nexperia

PDTA143XQAZ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PDTA143XQAZ
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 3DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PDTA143XQAZ.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    100mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DFN1010D-3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    280mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-XDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    934069151147
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    180MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 280mW Surface Mount DFN1010D-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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09/10/2024
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