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5252507Immagine PDTB123ET,215.Nexperia

PDTB123ET,215

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PDTB123ET,215
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.PDTB123ET,215.pdf
    2.PDTB123ET,215.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-236AB (SOT23)
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potenza - Max
    250mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    1727-1702-2
    568-11242-2
    568-11242-2-ND
    934058976215
    PDTB123ET T/R
    PDTB123ET T/R-ND
    PDTB123ET,215-ND
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    40 @ 50mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA
  • Numero di parte base
    PDTB123

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09/10/2024
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