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3712738Immagine PEMD3,115.Nexperia

PEMD3,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PEMD3,115
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PEMD3,115.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-666
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-563, SOT-666
  • Altri nomi
    1727-6490-2
    568-8468-2
    568-8468-2-ND
    934056771115
    PEMD3 T/R
    PEMD3 T/R-ND
    PEMD3,115-ND
    PEMD3115
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    13 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    P*MD3

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09/10/2024
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