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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > PMCXB900UEZ
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5832995Immagine PMCXB900UEZ.Nexperia

PMCXB900UEZ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMCXB900UEZ
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PMCXB900UEZ.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    950mV @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DFN1010B-6
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    620 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Potenza - Max
    265mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    6-XFDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    1727-1469-1
    568-10940-1
    568-10940-1-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    21.3pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.7nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel Complementary
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA, 500mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    600mA, 500mA

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09/10/2024
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Pagamento
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Produttori: Nexperia
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Produttori: Nexperia
In magazzino
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Descrizione: MOSFET N-CH 12V WLCSP

Produttori: Nexperia
In magazzino
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Descrizione: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A 4WLCSP

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Produttori: Nexperia
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