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5622267Immagine PMPB215ENEAX.Nexperia

PMPB215ENEAX

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMPB215ENEAX
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PMPB215ENEAX.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.7V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DFN2020MD-6
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    230 mOhm @ 1.9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-UDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    1727-8340-6
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    215pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    7.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 1.9A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.9A (Ta)

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09/10/2024
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