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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > PMV32UP/MIR
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PMV32UP/MIR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMV32UP/MIR
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    SMALL SIGNAL MOSFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PMV32UP/MIR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-236AB
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    36 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    510mW (Ta), 4.15W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    934068502215
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1890pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 4A (Ta) 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Surface Mount TO-236AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

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09/10/2024
Spedizione
Pagamento
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Descrizione: MOSFET N-CH 20V TO-236AB

Produttori: Nexperia
In magazzino
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Descrizione: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

Produttori: Nexperia
In magazzino
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