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311458Immagine PMZ1000UN,315.Nexperia

PMZ1000UN,315

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMZ1000UN,315
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH SOT883
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PMZ1000UN,315.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DFN1006-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    350mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-101, SOT-883
  • Altri nomi
    1727-5860-2
    568-7439-2
    568-7439-2-ND
    934063419315
    PMZ1000UN,315-ND
    PMZ1000UN315
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    43pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.89nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 480mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    480mA (Ta)

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09/10/2024
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