1022028

PMZB150UNEYL

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Specifiche

Modello di prodotti

PMZB150UNEYL
Costruttore / Marca

Nexperia
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V SOT883
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

PMZB150UNEYL.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

950mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DFN1006B-3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

350mW (Ta), 6.25W (Tc)
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

3-XFDFN
Altri nomi

1727-2326-6
568-12612-6
568-12612-6-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

93pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 1.5A (Ta) 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Ta)

Notizie correlate
spedizione
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PMZB290UNE,315

Descrizione: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3

Produttori: Nexperia

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