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919023Immagine PSMN102-200Y,115.Nexperia

PSMN102-200Y,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PSMN102-200Y,115
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PSMN102-200Y,115.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LFPAK56, Power-SO8
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    102 mOhm @ 12A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    113W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
  • Altri nomi
    1727-5227-2
    568-6544-2
    568-6544-2-ND
    934061323115
    PSMN102-200Y T/R
    PSMN102-200Y T/R-ND
    PSMN102-200Y,115-ND
    PSMN102200Y115
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1568pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    30.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    21.5A (Tc)

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09/10/2024
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