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5201868Immagine PSMN4R8-100BSEJ.Nexperia

PSMN4R8-100BSEJ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PSMN4R8-100BSEJ
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PSMN4R8-100BSEJ.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    405W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    1727-1103-1
    568-10258-1
    568-10258-1-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    14400pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    278nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 120A (Tj) 405W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    120A (Tj)

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09/10/2024
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Pagamento
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