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1206014Immagine PSMN7R8-120ESQ.Nexperia

PSMN7R8-120ESQ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PSMN7R8-120ESQ
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PSMN7R8-120ESQ.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I2PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7.9 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    349W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Altri nomi
    1727-1509
    568-10989-5
    568-10989-5-ND
    934067449127
    PSMN7R8-120ESQ-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    9473pF @ 60V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    167nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    120V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 120V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

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09/10/2024
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Pagamento
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