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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > PUMB13,115
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1556325Immagine PUMB13,115.Nexperia

PUMB13,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PUMB13,115
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PUMB13,115.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    100mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-TSSOP
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    1727-1734-2
    568-11277-2
    568-11277-2-ND
    934057883115
    PUMB13 T/R
    PUMB13 T/R-ND
    PUMB13,115-ND
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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09/10/2024
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