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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD12670P
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5207416Immagine 2SD12670P.Panasonic

2SD12670P

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SD12670P
  • Costruttore / Marca
    Panasonic
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 60V 4A TO-220F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SD12670P.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.5V @ 400mA, 4A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220F-A1
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    2W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    20MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 4A 20MHz 2W Through Hole TO-220F-A1
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 1A, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    700µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    4A

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Descrizione: TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L

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