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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD23210RA
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2967762Immagine 2SD23210RA.Panasonic

2SD23210RA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SD23210RA
  • Costruttore / Marca
    Panasonic
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 20V 5A NS-B1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SD23210RA.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    20V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 100mA, 3A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    NS-B1
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    400mW
  • imballaggio
    Tape & Box (TB)
  • Contenitore / involucro
    NS-B1
  • Altri nomi
    2SD23210RATB
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    150MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 150MHz 400mW Through Hole NS-B1
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    340 @ 500mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    5A
  • Numero di parte base
    2SD2321

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