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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DRA9A24E0L
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938479Immagine DRA9A24E0L.Panasonic

DRA9A24E0L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DRA9A24E0L
  • Costruttore / Marca
    Panasonic
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 0.125W SSMINI3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DRA9A24E0L.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SSMini3-F3-B
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potenza - Max
    125mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-89, SOT-490
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    11 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 125mW Surface Mount SSMini3-F3-B
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    80mA
  • Numero di parte base
    DRA9A

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