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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > UNR521E00L
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UNR521E00L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    UNR521E00L
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMini3-G1
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    22 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-70, SOT-323
  • Altri nomi
    UN521E-(TX)
    UN521E-TX
    UN521ETR
    UN521ETR-ND
    UNR521E00LTR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    150MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
UNR521F00L

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

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