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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > XN0F25600L
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XN0F25600L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    XN0F25600L
  • Costruttore / Marca
    Panasonic
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    XN0F25600L.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    20V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    80mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MINI6-G1
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    -
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6
  • Altri nomi
    XN0F25600LCT
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 50mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    600mA

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