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656320Immagine H7N1002LSTL-E.Renesas Electronics America

H7N1002LSTL-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    H7N1002LSTL-E
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V LDPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    H7N1002LSTL-E.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    4-LDPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    10 mOhm @ 37.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    100W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-83
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    9700pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    155nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 75A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    75A (Ta)

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Pagamento
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Descrizione: MOSFET N-CH 100V LDPAK

Produttori: Renesas Electronics America
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Descrizione: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
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