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509106Immagine HAT2168H-EL-E.Renesas Electronics America

HAT2168H-EL-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HAT2168H-EL-E
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HAT2168H-EL-E.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LFPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7.9 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    15W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-100, SOT-669
  • Altri nomi
    HAT2168H-EL-E-ND
    HAT2168H-EL-ETR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1730pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 30A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount LFPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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