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3368759Immagine HAT2287WP-EL-E.Renesas Electronics America

HAT2287WP-EL-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    HAT2287WP-EL-E
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH WPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    HAT2287WP-EL-E.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-WPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    94 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    30W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerWDFN
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1200pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 17A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK
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