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618581Immagine NP33N06YDG-E1-AY.Renesas Electronics America

NP33N06YDG-E1-AY

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NP33N06YDG-E1-AY
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NP33N06YDG-E1-AY.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-HSON
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    14 mOhm @ 16.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1W (Ta), 97W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
  • Altri nomi
    NP33N06YDG-E1-AY-ND
    NP33N06YDG-E1-AYTR
  • temperatura di esercizio
    175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3900pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    78nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 33A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) Surface Mount 8-HSON
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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Pagamento
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Descrizione: THYRISTOR 320V 400A SMB

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Descrizione: TRANSISTOR

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Descrizione: THYRISTOR 275V 80A SMB

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Descrizione: THYRISTOR 275V 200A SMB

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
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