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4320007Immagine NP50P06KDG-E1-AY.Renesas Electronics America

NP50P06KDG-E1-AY

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NP50P06KDG-E1-AY
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NP50P06KDG-E1-AY.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-263
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    17 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.8W (Ta), 90W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura di esercizio
    175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5000pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 50A (Tc) 1.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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