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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > R1LV0216BSB-5SI#B1
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3021947Immagine R1LV0216BSB-5SI#B1.Renesas Electronics America

R1LV0216BSB-5SI#B1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R1LV0216BSB-5SI#B1
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    R1LV0216BSB-5SI#B1.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    55ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    2Mb (128K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 55ns 44-TSOP II
  • Tempo di accesso
    55ns

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In magazzino
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