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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > R1RP0416DSB-2PR#B0
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R1RP0416DSB-2PR#B0

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R1RP0416DSB-2PR#B0
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM IBIS ASYNC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    R1RP0416DSB-2PR#B0.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    12ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    SRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-TSOP II
  • Tempo di accesso
    12ns

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Pagamento
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Descrizione: IC SRAM IBIS ASYNC

Produttori: Renesas Electronics America
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Descrizione: IC SRAM IBIS ASYNC

Produttori: Renesas Electronics America
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Descrizione: IC SRAM IBIS ASYNC

Produttori: Renesas Electronics America
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R1RW0416DSB-2PR#D1

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Descrizione: IC SRAM IBIS ASYNC

Produttori: Renesas Electronics America
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Descrizione: IC SRAM IBIS ASYNC

Produttori: Renesas Electronics America
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Descrizione: IC SRAM IBIS ASYNC

Produttori: Renesas Electronics America
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Descrizione: IC SRAM IBIS ASYNC

Produttori: Renesas Electronics America
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