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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RJK2075DPA-00#J5A
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RJK2075DPA-00#J5A

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RJK2075DPA-00#J5A
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RJK2075DPA-00#J5A.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    WPAK(3F) (5x6)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    69 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    65W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2200pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 20A (Ta) 65W (Ta) Surface Mount WPAK(3F) (5x6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    20A (Ta)

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