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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RJL6012DPE-00#J3
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6837140Immagine RJL6012DPE-00#J3.Renesas Electronics America

RJL6012DPE-00#J3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RJL6012DPE-00#J3
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RJL6012DPE-00#J3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    4-LDPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.1 Ohm @ 5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    100W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SC-83
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1050pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 10A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

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