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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > RMLV0416EGSB-4S2#HA1
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4117339Immagine RMLV0416EGSB-4S2#HA1.Renesas Electronics America

RMLV0416EGSB-4S2#HA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RMLV0416EGSB-4S2#HA1
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RMLV0416EGSB-4S2#HA1.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    45ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    44-TSOP2
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Altri nomi
    RMLV0416EGSB-4S2#HA1CT
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 44-TSOP2
  • Tempo di accesso
    45ns

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