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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RQJ0303PGDQA#H6
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RQJ0303PGDQA#H6

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RQJ0303PGDQA#H6
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RQJ0303PGDQA#H6.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    +10V, -20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-MPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    68 mOhm @ 1.6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    800mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    625pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 3.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 3-MPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.3A (Ta)

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