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4144097Immagine UPA2379T1P-E1-A.Renesas Electronics America

UPA2379T1P-E1-A

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    UPA2379T1P-E1-A
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 12V
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    UPA2379T1P-E1-A.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    -
  • Potenza - Max
    1.8W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-XFLGA
  • Altri nomi
    UPA2379T1P-E1-ATR
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 4V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.8W Surface Mount 6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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