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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SD2012
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176165Immagine 2SD2012.STMicroelectronics

2SD2012

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SD2012
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 60V 3A TO-220F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SD2012.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 200mA, 2A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220F
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    25W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • Altri nomi
    497-5900-5
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    3MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 3MHz 25W Through Hole TO-220F
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    3A
  • Numero di parte base
    2SD2012

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27/09/2024
Spedizione
Pagamento
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