IRF840

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Specifiche

Modello di prodotti

IRF840
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

IRF840.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

PowerMESH™ II
Rds On (max) a Id, Vgs

850 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

497-2731-5
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

832pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 500V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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IRF830STRR

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay

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