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4771451Immagine PD20010S-E.STMicroelectronics

PD20010S-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PD20010S-E
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PD20010S-E.pdf
  • Tensione - Prova
    13.6V
  • Tensione - nominale
    40V
  • Tipo transistor
    LDMOS
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerSO-10RF (Straight Lead)
  • Serie
    -
  • Alimentazione - uscita
    10W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
  • Altri nomi
    PD20010SE
  • Figura di rumore
    -
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    11dB
  • Frequenza
    2GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead)
  • Valutazione attuale
    5A
  • Corrente - Test
    150mA
  • Numero di parte base
    PD20010

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
Spedizione
Pagamento
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