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2294765Immagine STB10N60M2.STMicroelectronics

STB10N60M2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STB10N60M2
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STB10N60M2.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK
  • Serie
    MDmesh™ II Plus
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    600 mOhm @ 3A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    85W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    497-14528-6
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    400pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    13.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7.5A (Tc)
  • Numero di parte base
    STB10N60

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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