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STD25N10F7

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Specifiche

Modello di prodotti

STD25N10F7
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STD25N10F7.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

DPAK
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (max) a Id, Vgs

35 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi

497-14530-2
STD25N10F7-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 25A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)
Numero di parte base

STD25N10

Notizie correlate
spedizione
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STD28P3LLH6AG

Descrizione: MOSFET P-CH 30V 12A

Produttori: STMicroelectronics

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