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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STD30N10F7
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539813Immagine STD30N10F7.STMicroelectronics

STD30N10F7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STD30N10F7
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STD30N10F7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    DeepGATE™, STripFET™ VII
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    24 mOhm @ 16A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    50W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    497-14531-1
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1270pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 32A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)
  • Numero di parte base
    STD30N10

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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Pagamento
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