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6797117Immagine STGB30M65DF2.STMicroelectronics

STGB30M65DF2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STGB30M65DF2
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 650V 30A D2PAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STGB30M65DF2.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • Condizione di test
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    31.6ns/115ns
  • di scambio energetico
    300µJ (on), 960µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    140ns
  • Potenza - Max
    258W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    497-15843-1
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    80nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Surface Mount D2PAK
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    120A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    60A

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27/09/2024
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Pagamento
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