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2063060Immagine STGD4M65DF2.STMicroelectronics

STGD4M65DF2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STGD4M65DF2
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STGD4M65DF2.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • Condizione di test
    400V, 4A, 47 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    12ns/86ns
  • di scambio energetico
    40µJ (on), 136µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    M
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    133ns
  • Potenza - Max
    68W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    497-16963-2
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    15.2nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    16A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    8A

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27/09/2024
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Pagamento
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