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5921358Immagine STGWT60H65DFB.STMicroelectronics

STGWT60H65DFB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STGWT60H65DFB
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STGWT60H65DFB.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2V @ 15V, 60A
  • Condizione di test
    400V, 60A, 5 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    51ns/160ns
  • di scambio energetico
    1.09mJ (on), 626µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-3P
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    60ns
  • Potenza - Max
    375W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Altri nomi
    497-14232-5
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • carica gate
    306nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-3P
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    240A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    80A

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27/09/2024
Spedizione
Pagamento
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Descrizione: IGBT 600V 80A 375W TO3P

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Descrizione: IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

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Descrizione: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

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Descrizione: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

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Descrizione: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

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Descrizione: IGBT 600V 80A 260W MAX247

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