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4804437Immagine STH315N10F7-2.STMicroelectronics

STH315N10F7-2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STH315N10F7-2
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STH315N10F7-2.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    H2Pak-2
  • Serie
    DeepGATE™, STripFET™ VII
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 60A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    315W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Altri nomi
    497-14718
    497-14718-1
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    38 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    12800pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

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27/09/2024
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